研究了长期低温条件下,设施黄瓜嫁接苗和自根苗(播种后35 d)的净光合速率(P n)、表观量子效率(AQY)、气孔导度(G s)、蒸腾速率(T r)和胞间CO2浓度(C i)与光通量密度(PFD)的关系.结果表明:不同PFD条件下,经过长期低温后黄瓜嫁接苗和自根苗叶片的光饱和点、AQY、P n、G s和T r均较适温条件下显著下降,但嫁接黄瓜下降速度及程度显著低于自根黄瓜.适温条件下,黄瓜C i随PFD增加而降低;低温条件下,嫁接黄瓜C i也随PFD增强而降低,自根黄瓜则始终保持较高水平.以上结果表明,长期低温条件下,黄瓜嫁接苗与黄瓜自根苗均发生气孔抑制现象,但嫁接苗较自根苗保持相对较高的气孔导度,维持较高的光合同化效率,产生较少的过剩激发能,光合器官的伤害程度降低,因而有较强适应低温的能力.