采用EMS化学诱变方法与H2O2氧化胁迫选择，以根在重力作用下的弯曲生长为指标，筛选得到拟南芥活性氧不敏感型突变体。对突变体杂交后代遗传分析表明，突变株对活性氧不敏感性状为隐性单基因突变所致；生理生化分析表明突变体对H2O2有很强的抗性，表现为气孔开度对H2O2不敏感和H2O2胁迫时较低的膜脂过氧化水平。运用LSCM技术并结合H2O2荧光探针H2DCFDA检测外源ABA诱导保卫细胞内产生H2O2的情况，结果显示突变体体内荧光强度比对照低，暗示了突变体体内消除H2O2的能力可能有所提高，增强了植株对氧化胁迫的抗性。拟南芥活性氧不敏感突变体的筛选，不仅为人们深入研究活性氧在细胞内的作用提供良好的实验材料，而且还将大大加深人们对信号转导途径的再认识。